赖占平
,
齐德格
,
高瑞良
,
杜庚娜
,
刘晏凤
,
周春锋
,
高峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.003
采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.
关键词:
GaAs
,
单晶
,
掺杂
,
LEC
周春锋
,
高瑞良
,
齐德格
,
赖占平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.007
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.
关键词:
半导体物理学
,
砷沉淀
,
AB微缺陷
,
半绝缘砷化镓单晶片
