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TiO2/Al2O3堆栈结构high-k薄膜的制备及性能

凌惠琴 , 丁冬雁 , 周晓强 , 李明 , 毛大立

稀有金属材料与工程

采用磁控溅射法制备了TiO2/Al2O3堆栈结构高k栅介质薄膜,研究了不同后处理条件对等效氧化物厚度,界面电荷和界面扩散的影响.实验结果表明:400℃退火后,TiO2已经结晶,退火可以降低漏电流密度和介电层中的电荷密度.同时,退火使Ti进一步向Al2O3层扩散,形成TiO2和A12为O3的混合层,Al2O3层过薄时不能有效阻挡TiO2的扩散.

关键词: TiO2/Al2O3 , 堆栈结构 , high-k , 界面层