邓赞红
,
方晓东
,
陶汝华
,
董伟伟
,
周曙
,
孟钢
,
邵景珍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00281
采用脉冲激光沉积法制备了CuAlO2薄膜. 在沉积激光能量100~180mJ范围内原位沉积的薄膜并在N2气氛下900℃异位退火1h处理后, 所有薄膜均为高度 c 轴取向的单相CuAlO2薄膜, 晶粒尺寸~49nm. 随着沉积激光能量的增大, 薄膜厚度增加, 表面颗粒尺寸明显增大, 在可见光区的平均透射率下降. 室温光致发光谱发现, CuAlO2薄膜在350nm附近有一个自由激子复合发光峰, 说明在CuAlO2宽带隙半导体中存在直接带间跃迁, 这对于该材料在光电子领域如发光二极管的应用具有重要意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
CuAlO2 films
,
optical band energy
,
room-temperature photolumine scence spectra
邓赞红
,
方晓东
,
陶汝华
,
董伟伟
,
周曙
,
孟钢
,
邵景珍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00281
采用脉冲激光沉积法制备了CuAlO2薄膜.在沉积激光能量100～180mJ范围内原位沉积的薄膜并在N2气氛下900℃异位退火1h处理后,所有薄膜均为高度c轴取向的单相CuAlO2薄膜,晶粒尺寸～49nm.随着沉积激光能量的增大,薄膜厚度增加,表面颗粒尺寸明显增大,在可见光区的平均透射率下降.室温光致发光谱发现,CuAlO2薄膜在350nm附近有一个自由激子复合发光峰,说明在CuAlO2宽带隙半导体中存在直接带间跃迁,这对于该材料在光电子领域如发光二极管的应用具有重要意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
CuAlO2薄膜
,
光学带隙
,
室温光致发光谱
邵景珍
,
董伟伟
,
陶汝华
,
邓赞红
,
周曙
,
方晓东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.021
利用溶胶凝胶法在Al2O3衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电薄膜,研究了钼的掺杂量(0～1 at%)对钼掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构且表面平整、致密.通过高温真空退火,MZO薄膜的电阻率明显降低.且随着钼含量的增加,MZO薄膜的电阻率呈现出先减小后增大的趋势,当钼含量为0.4at%时,获得最小电阻率为0.13 Ωcm.薄膜在近红外区域(800～2000 nm)的平均透过率大于85%,这可以有效地拓宽光电器件的光谱范围.
关键词:
材料
,
光电特性
,
溶胶凝胶法
,
钼掺杂氧化锌
,
透明导电氧化物
秦娟娟
,
董伟伟
,
周曙
,
游利兵
,
方晓东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.01.001
极紫外光刻是采用波长为13.5 nm的极紫外光作为光源,实现半导体集成电路工艺22 nm以及更窄线宽节点的主要候选光刻技术.性能优越稳定的多层膜技术是构建整个极紫外光刻系统的重要技术之一.从高反射率、波长匹配、控制面形以及稳定性和寿命方面总结了极紫外光刻系统中多层膜的性能要求和最新的研究进展,叙述了制备高性能多层膜的方法和沉积设备,讨论了多层膜制备技术存在的问题和发展的方向.
关键词:
激光技术
,
极紫外光刻
,
极紫外多层膜
,
沉积方法
