彭龙新
,
周正林
,
蒋幼泉
,
林金庭
,
魏同立
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009
报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.
关键词:
微波单片集成电路
,
赝配高电子迁移率晶体管
,
低噪声放大器
