周洪彪
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张化宇
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王志刚
复合材料学报
采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜（AZO）。为了降低AZO薄膜的电阻率, 采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理, 并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明： 在低温条件下, 氢化处理能有效降低AZO薄膜的电阻率; 在衬底温度为100℃的低温条件下, 通过调节溅射气氛中H2的比例, 制备了电阻率为6.0×10^-4 Ω·cm的高质量氢化AZO薄膜, 该电阻值低于同等条件下未氢化AZO薄膜电阻值的1/3; 但随着衬底温度的升高, 氢化处理对薄膜电学性能的改善效果逐渐减弱。
关键词:
AZO薄膜
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射频磁控溅射
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氢化
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衬底温度
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电阻率
