周紫卓
,
王伟
,
谈惠祖
,
孙晓玮
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.011
本文结合功能材料Al_2O_3和BCB(苯并环丁烯树脂)的特点,创新性地提出了Si/Al_2O_3/BCB多层薄膜复合结构的衬底,利用Al_2O_3高介电常数的优点和BCB薄膜工艺制备厚度的灵活性实现了低传输损耗.本研究采用与CMOS相兼容的半导体制造工艺在三种不同衬底(Si、Si/BCB和Si/Al_2O_3/BCB)上制作了CPW结构的传输线,通过仿真、测量、比较和分析其传输损耗特性得出Si/Al_2O_3/BCB多层薄膜复合结构衬底有效地降低了普通硅衬底的高频损耗(20GHz时CPW传输线的损耗为1. 18dB/mm),实现了微波毫米波电路低损耗传输线,具有广泛的应用前景.
关键词:
Al_2O_3
,
BCB
,
CPW
,
传输损耗
