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张宏 , 吴艺雄 , 王智河 , 周锷猷 , 任琮欣 , 江炳尧 , 牟海川 , 柳襄怀
低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.04.007
用低压MOCVD多源法在单晶YSZ和具有双轴取向IBAD-YSZ的金属基带上沉积了YBCO膜,它们的Jc(77.3K,0T)分别为～2×106A/cm2和～7×104A/cm2.分析了本试验中的Jc差别原因.在单晶YSZ上YBCO高Jc 数值显示了用MOCVD制备涂层膜导体的潜力.
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