李培
,
唐吉玉
,
文于华
,
王茜
,
李德钦
材料科学与工程学报
引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了退火温度和量子阱阱宽对光增益峰值蓝移的影响.结果表明退火使带隙发生蓝移,光增益峰值向短波方向移动,退火温度T越高,相同组分条件下的峰值蓝移越大.减小合金中N含量以及增加量子阱阱宽可减少增益峰值蓝移,从而降低退火带来的不利影响.
关键词:
GaInNAs/GaAs
,
退火
,
光增益
孔令红
,
熊予莹
,
符斯列
,
陈俊芳
,
吴先球
,
唐吉玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.022
采用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜表面进行氮注入处理来改善纳米TiO2催化剂的光谱响应范围.处理后表面颜色变成微黄色,说明氮离子已注入到TiO2薄膜里;AFM观察处理前后的薄膜,发现表面形貌没有很大改变;紫外-可见光谱分析结果表明,TiO2薄膜催化剂的光谱响应红移了12-18nm;通过不同功率、不同处理时间研究显示,在微波功率为400W、处理60min改性效果最理想.
关键词:
ECR氮等离子体
,
光谱响应
,
TiO2薄膜
,
紫外-可见光谱分析
,
AFM
伍达将
,
唐吉玉
,
崔婧
,
刘洋
,
朱永安
功能材料与器件学报
本文利用各向同性的周期性四方形基底,模拟了沉积能量与沉积速率对薄膜三维形貌的影响.模型主要分析了原子沉积、吸附原子扩散和原子脱附三个过程,同时详细地考虑了四方形基底的最近邻和次近邻的影响.结果表明:沉积能量对薄膜粗糙度、衬底填充比、岛的个数都有明显的影响.沉积速率对薄膜粗糙度的影响较小,在低沉积能量下对填充比和岛的个数影响较小,在高沉积能量下对填充比和岛的个数影响较大.在高沉积能量高沉积速率下,为了提高成膜质量,同时保证成膜效率,适当降低沉积速率比适当降低沉积能量更有效.
关键词:
沉积能量
,
沉积速率
,
粗糙度
,
填充比
朱永安
,
唐吉玉
,
潘保瑞
,
陈俊芳
,
陆旭兵
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.012
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析.初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好.作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20％.
关键词:
GaInAsN/GaAs量子阱
,
阱宽
,
垒厚
,
短路电流
,
伏安特性
张正超
,
唐吉玉
,
崔婧
,
伍达将
,
董贵仁
功能材料与器件学报
考虑到基底原子位置高低不等和位置无序等现象引起的基底与吸附原子之间相互作用能的非均一性对三维薄膜初期生长二层以上原子的影响,本文建立了一个非均匀基底上的三维薄膜初期生长模型,研究了FCC(100)衬底上沉积速率、沉积能量、非均一性离散程度和分布形态等因素对三维薄膜初期生长的影响.由于基底非均匀分布的无规则性,文中将其拟合为一定范围内的随机分布.模拟结果显示:中等温度(T=450K)下相互作用能的非均一性对三维薄膜的初期生长有显著的影响;适当的增加基底不均一性离散程度和分布形态的凹凸程度对薄膜初期生长机制和岛数目都有重要影响.
关键词:
薄膜
,
相互作用能的非均一性
,
离散程度
,
分布形态
张国芳
,
唐吉玉
,
陈俊芳
,
周福成
,
林邦惜
,
廖建军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.006
随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs( In-GaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究.四元化合物材料Ga1-xInxAs1-yNy通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev - 1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料.在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比.结果显示,该结构可以获得较高的转换效率.
关键词:
GaInAsN
,
太阳能电池
,
转换效率
赵传阵
,
唐吉玉
,
文于华
,
吴靓臻
,
孔蕴婷
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.013
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.
关键词:
硅锗合金
,
少数载流子
,
低温特性
,
掺杂浓度
金华峰
,
李文戈
,
向纪明
,
唐吉玉
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2001.08.011
采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/SiO2和不同浓度Fe3+掺杂的Fe3+/TiO2/SiO2复合纳米粉末,并利用XRD、BET、UV-vis等手段研究了TiO2/SiO2及掺铁形成的Fe3+/TiO2/SiO2复合微粒的表面结构形态变化,以及对污染物NO-2光催化降解的影响. 结果表明,Fe3+/TiO2/SiO2(ω(Fe3+)=1.5%,m(Ti)∶m(Si)=2∶1)具有最佳活性,样品呈晶化度较低的锐钛矿结构. Fe3+掺杂导致晶粒的增大,稳定性降低,大大提高了半导体的光催化活性,有利于对低浓度NO-2的光催化降解.
关键词:
Fe3+/TiO2/SiO2
,
TiO2/SiO2
,
复合微粒
,
光降解
,
NO-2
