李培
,
唐吉玉
,
文于华
,
王茜
,
李德钦
材料科学与工程学报
引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了退火温度和量子阱阱宽对光增益峰值蓝移的影响.结果表明退火使带隙发生蓝移,光增益峰值向短波方向移动,退火温度T越高,相同组分条件下的峰值蓝移越大.减小合金中N含量以...
关键词:
GaInNAs/GaAs
,
退火
,
光增益
孔令红
,
熊予莹
,
符斯列
,
陈俊芳
,
吴先球
,
唐吉玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.022
采用ECR氮等离子对纳米TiO2薄膜表面进行氮注入处理来改善纳米TiO2催化剂的光谱响应范围.处理后表面颜色变成微黄色,说明氮离子已注入到TiO2薄膜里;AFM观察处理前后的薄膜,发现表面形貌没有很大改变;紫外-可见光谱分析结果表明,TiO2薄膜催化剂的光谱响应红移了12-18nm;通过不同功率、不...
关键词:
ECR氮等离子体
,
光谱响应
,
TiO2薄膜
,
紫外-可见光谱分析
,
AFM
伍达将
,
唐吉玉
,
崔婧
,
刘洋
,
朱永安
功能材料与器件学报
本文利用各向同性的周期性四方形基底,模拟了沉积能量与沉积速率对薄膜三维形貌的影响.模型主要分析了原子沉积、吸附原子扩散和原子脱附三个过程,同时详细地考虑了四方形基底的最近邻和次近邻的影响.结果表明:沉积能量对薄膜粗糙度、衬底填充比、岛的个数都有明显的影响.沉积速率对薄膜粗糙度的影响较小,在低沉积能量...
关键词:
沉积能量
,
沉积速率
,
粗糙度
,
填充比
张正超
,
唐吉玉
,
崔婧
,
伍达将
,
董贵仁
功能材料与器件学报
考虑到基底原子位置高低不等和位置无序等现象引起的基底与吸附原子之间相互作用能的非均一性对三维薄膜初期生长二层以上原子的影响,本文建立了一个非均匀基底上的三维薄膜初期生长模型,研究了FCC(100)衬底上沉积速率、沉积能量、非均一性离散程度和分布形态等因素对三维薄膜初期生长的影响.由于基底非均匀分布的...
关键词:
薄膜
,
相互作用能的非均一性
,
离散程度
,
分布形态
张国芳
,
唐吉玉
,
陈俊芳
,
周福成
,
林邦惜
,
廖建军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.006
随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs( In-GaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究.四元化合物材料Ga1-xInxAs1-yNy通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev - 1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新...
关键词:
GaInAsN
,
太阳能电池
,
转换效率
赵传阵
,
唐吉玉
,
文于华
,
吴靓臻
,
孔蕴婷
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.013
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0...
关键词:
硅锗合金
,
少数载流子
,
低温特性
,
掺杂浓度
金华峰
,
李文戈
,
向纪明
,
唐吉玉
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2001.08.011
采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/SiO2和不同浓度Fe3+掺杂的Fe3+/TiO2/SiO2复合纳米粉末,并利用XRD、BET、UV-vis等手段研究了TiO2/SiO2及掺铁形成的Fe3+/TiO2/SiO2复合微粒的表面结构形态变化,以及对污染物NO-2光催化降解的影响. 结果表明,Fe3+/T...
关键词:
Fe3+/TiO2/SiO2
,
TiO2/SiO2
,
复合微粒
,
光降解
,
NO-2
