朱文清
,
刘祖刚
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唐春玖
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赵伟明
,
蒋雪茵
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张志林
,
许少鸿
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.007
使用 PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料 , 采用流延工艺成膜 , 丝网印刷内电极 , 低温烧结的方法制备了陶瓷衬底 . 陶瓷衬底的烧结温度为 930～ 9500C. 测量了陶瓷厚膜的基本特性 , 在室温时的相对介电常数ε r大于 14000, 损耗 tanδ约为 1% , 具有极高的品质因素 ( ≥ 80μ C/cm2) . 用 SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌 , 内电极连续 , 厚膜层致密且表面起伏较小 , 可直接沉积发光层 . 制备了陶瓷厚膜为绝缘层的 ZnS:Mn低压驱动电致发光器件 , 在 50Hz正弦波驱动下 , 阈值电压仅为 41V.
关键词:
陶瓷厚膜
,
流延工艺
,
低压驱动
,
电致发光
唐春玖
,
朱文清
,
赵伟明
,
刘祖刚
,
蒋雪茵
,
张志林
,
许少鸿
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.008
首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ZnS∶Er作发光层的绿色薄膜电致发光器件(CTFEL).器件结构为陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层(ZnS∶Er)/透明电极(ZnO∶Al).发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的.器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度-电压和效率-电压等特性.
关键词:
陶瓷厚膜
,
绝缘层
,
薄膜电致发光器件
唐春玖
,
符连社
,
新型炭材料
研究了衬底温度、核化密度、衬底表而预处理等工艺参数对微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石的影响.采用扫描电镜、X-射线衍射、喇曼光谱和红外光谱对样品进行了表征.结果表明:从高核化密度生长的金刚石膜中探测不到碳化硅;不论对硅衬底进行抛光预处理还是未抛光预处理,从低核化密度牛长的金刚石厚膜中总能探测到碳化硅.碳化硅生长在硅衬底上未被金刚石覆盖的地方,或者是在金刚石晶核之间的空洞处.碳化硅形成和金刚石生长是同时发生的两个竞争过程.此研究结果为制备金刚石和碳化砟复合材料提供了一种新的方法.
关键词:
碳化硅
,
金刚石厚膜
,
红外光谱
,
微波等离子体气相化学沉积
