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GaAs霍尔开关集成电路的研制

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.010

成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.

关键词: 霍尔效应 , 磁传感器 , 开关 , GaAs , 集成电路

GaInAsSb/GaSb 红外探测器抗反膜的研究

刘延祥 , 夏冠群 , 唐绍裘 , 李志怀 , 程宗权

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.014

简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜.膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高.

关键词: 抗反膜 , GaInAsSb/GaSb , 反射率I-V , 黑体探测率

Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究

刘文超 , 李冰寒 , 周健 , 夏冠群

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.013

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究.结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10-4Ω@cm2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关.

关键词: Au/Ti/W/Ti , 砷化镓 , 欧姆接触

GaxIn1－ xAsySb1－ y材料的光学常数

梁帮立 , 夏冠群 , 范叔平 , 郑燕兰

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.016

报导了用红外椭圆偏振光谱测定的不同组分 GaxIn1－ xAsySb1－ y材料室温光学常数（ n和α） , 并且实验观察到明显的折射率增强效应 , 发现组分在 x=0.2～ 0.3 之间折射率峰值随组分 x近似于线性变化。

关键词: GaxIn1－xAsySb1－y , 光学常数 , 室温

砷化镓阈值电压自动测试系统的研制

朱朝嵩 , 夏冠群 , 李传海 , 詹琰

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.020

介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法 , 并完成了Φ 3“砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制 . 该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件 . 自动探针台的定位精度为 10μ m, 分辨率为 2.4μ m, 速度为 251mm/s. 阈值电压测量精度为 1mV. 该系统可进行Φ 3“砷化镓圆片的 MESFET器件参数的自动测量、存储和运算 , 能给出圆片的阈值电压分布图 . 该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量 .

关键词: GaAs , 阈值电压 , 均匀性

HEMT小信号等效电路参数提取

李洪芹 , 孙晓玮 , 夏冠群 , 程知群 , 王德斌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.007

本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法.采用这些方法,提取了HEMT器件32-39GHz八个频率点的S参数值.实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性.

关键词: HEMT , 参数提取 , 小信号等效电路

MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响

詹琰 , 夏冠群 , 赵福川 , 李传海 , 朱朝嵩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.014

研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.

关键词: 砷化镓 , MESFET , 旁栅效应 , 旁栅阈值电压

AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

李冰寒 , 刘文超 , 周健 , 夏冠群

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.019

制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压.

关键词: 异质结双极晶体管 , AlGaInP/GaAs , 直流特性 , 开启电压

高速光纤通信用定时恢复判决电路

詹琰 , 王永生 , 赵建龙 , 夏冠群 , 孙晓玮 , 范恒

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.021

对光纤通信用定时恢复判决电路进行了研究,设计了由1μm耗尽型GaAs金属－半导体势垒场效应晶体管(MESFET)器件构成的判决电路和时钟提取电路。判决电路的基本单元为源耦合场效应晶体管逻辑(SCFL)电路,时钟提取电路由预处理器和锁相环构成。模拟分析表明,时钟提取电路可从输入信号中提取判决电路所需的时钟脉冲,频率达2.5GHz,判决电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决,并经时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2.5Gbit/s。实测电路可正确判决,时钟抽样后,输出正确的数字信号,传输速率达2.5Gbit/s。

关键词: GaAs , MESFET , 判决电路 , 时钟提取电路