刘少波
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
夏冬林
,
黄焱球
,
李军
,
郭明金
材料导报
归纳了非致冷红外焦平面阵列(UFPA)技术自提出、发展直至趋于成熟以来,国内外曾研究报道过的近百种热电型探测材料,对其中前景看好的Si、Ti、VOx等微测辐射热计材料和(Ba、Sr)TiO3等热释电材料进行了重点评述.
关键词:
非致冷红外焦平面阵列
,
热释电
,
微测辐射热计
,
薄膜
夏冬林
,
刘俊
,
张兴良
,
赵修建
材料导报
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜.研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响.采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征.结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV.
关键词:
磁控溅射
,
CuInS2 薄膜
,
硫化
,
微观结构
,
光学带隙
夏冬林
,
徐俊
,
刘俊
,
雷盼
人工晶体学报
采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜.研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响.利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的表面形貌和晶相结构进行表征.实验结果表明,采用磁控溅射金属预制膜经适当的时间硫化所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,随着硫化时间的增加,CuInS2薄膜的晶粒的形貌由球形结构向片状结构转化,并且硫化时间越长,所得薄膜的结晶性能越好,但过长的硫化时间会生成Cu-Au相而导致薄膜质量的劣化.
关键词:
磁控溅射
,
CuInS2薄膜
,
固态源硫化法
,
微观结构
夏冬林
,
刘梅冬
,
徐慢
,
赵修建
材料导报
铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用.近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点.介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向.
关键词:
PZT
,
铁电薄膜
,
铁电厚膜
,
制备技术
夏冬林
,
石正忠
,
张兴良
,
王慧芳
,
刘俊
人工晶体学报
采用电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对薄膜的微结构和光学性能进行了表征,研究了热处理条件对薄膜的相组成和光学性能的影响.结果表明:电沉积制备的ZnS薄膜呈非晶态,并且含有单质Zn.硫化热处理可以改善薄膜的结晶状况,减少杂质Zn的含量.硫气氛中450 ℃热处理4 h之后,薄膜中单质Zn全部反应生产ZnS,得到了纯的ZnS薄膜.没有经过热处理的薄膜,其可见光透射率在70%左右,热处理后薄膜样品的透射率降低,在硫气氛中热处理4 h的样品,其可见光透射率最低,为50%左右,热处理条件对薄膜样品的禁带宽度值基本没有影响.
关键词:
ZnS薄膜
,
电沉积
,
热处理
,
光学性能
夏冬林
,
刘梅冬
,
赵修建
,
周学东
无机材料学报
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.
关键词:
锆钛酸铅（PZT）薄膜
,
PT seedings
,
sol-gel processing
,
rapid thermal annealing
,
hysteresis loop
,
Ⅰ-Ⅴ characteristic
夏冬林
,
徐慢
,
李建庄
,
赵修建
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.049
采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜.研究了不同热处理温度对CIGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能.实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数.
关键词:
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)
,
薄膜
,
电沉积
,
太阳能电池
夏冬林
,
王慧芳
,
石正忠
,
张兴良
,
刘俊
影像科学与光化学
以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105 cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV.
关键词:
RF-等离子体增强化学气相沉积方法
,
非晶硅薄膜
,
折射率
,
消光系数
,
吸收系数
,
光学带隙
夏冬林
,
雷盼
,
石正忠
,
徐俊
影像科学与光化学
采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5 V 1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60％降低到20％,薄膜的光学带隙约为3.97 eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.
关键词:
ZnS薄膜
,
电沉积
,
透过率
,
光学带隙
殷官超
,
夏冬林
,
马晓
,
冯晋阳
,
赵修建
人工晶体学报
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,磷烷(PH3)为掺杂气体,制备了n型氢化非品硅(a-Si:H)薄膜.研究了辉光放电功率对薄膜微结构和光电性能的影响,采用XRD和拉曼散射光谱对薄膜的微结构进行了表征,薄膜的折射率通过NKD-7000 W光学薄膜系统拟合,薄膜暗电导率利用高阻仪测试.结果表明:在辉光功率30～150 W范国内,所沉积的磷掺杂的硅薄膜为非晶态;非晶态薄膜结构中程有序度随辉光功率的增大先增人后减小,在功牢为100 W时非晶硅薄膜中程有序程度最高;薄膜的折射率随着辉光功率的增大先增加后减小,在功率为70 W达到最大值3.7;薄膜暗电导率在100 W最大,其最人值为9.32×10-3S/ cm.
关键词:
氢化非晶硅薄膜
,
有序度
,
折射率
,
拉曼光谱
,
暗电导率
