王志强
,
殷景华
,
夏旭
,
姚磊
,
李佳龙
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.03.006
采用原位聚合法制备了三明治结构的SiO2纳米掺杂聚酰亚胺(PI)复合薄膜SiO2-PI/PI/SiO2-PI.利用透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征SiO2纳米颗粒的分散状态及三层复合薄膜的断面结构,研究三层结构复合薄膜的介电性能、电导率、耐电晕性能和电气强度等电学性能.结果表明:SiO2纳米颗粒可均匀地分散于聚酰亚胺基体中,三层复合薄膜具有清晰的界面分层;当SiO2纳米颗粒掺杂量为20%时,三层复合薄膜的耐电晕老化时间最长,分别为纯PI和单层PI/SiO2复合薄膜的26倍和2倍;当SiO2纳米颗粒掺杂量为15%时,三层复合薄膜的电气强度达到最大值(280.6 kV/mm).
关键词:
聚酰亚胺
,
纳米SiO2
,
三明治结构
,
耐电晕
,
介电性能
