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检索条件:作者=夏洋  

  • 论文(8)

LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

王文博 , 王晓慧 , 黄苒 , 欧毅 , 杜寰 , 夏洋 , 韩郑生 , 冯亚云 , 凌志华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果...

关键词: LCOS , 微显示 , CMP , 镜面电极

高压n LDMOS漂移区的设计研究

宋李梅 , 王文博 , 杜寰 , 夏洋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.023

讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研...

关键词: RESURF , LDMOS , 击穿电压

Cu2O薄膜的制备与表征

宁婕妤 , 李云白 , 刘邦武 , 夏洋 , 李超波

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.018

以透明导电玻璃ITO和铜片为工作电极,用0.1mol/L乙酸铜和0.02mol/L乙酸钠的混合溶液作为电解液,通过两电极电化学沉积方法制备了Cu2O薄膜.讨论了pH值和沉积电位对Cu2O薄膜的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行表征....

关键词: Cu2O , 薄膜 , 阴极电沉积 , 表征

Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

蔡小五 , 海潮和 , 王立新 , 陆江 , 刘刚 , 夏洋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.015

为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究...

关键词: VDMOS , 辐照 , 氧化物陷阱电荷 , 界面态电荷

磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究

邵花 , 王文东 , 刘训春 , 夏洋

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.008

在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了 Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的 Ta 薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄...

关键词: 磁控溅射 , Ta , 薄膜电阻率

光诱导液相沉积 Ni/Cu 应用于晶硅电池栅线的制备

宁婕妤 , 刘邦武 , 夏洋 , 李超波

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.033

采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu 薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响.采用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征.结果显示,制备的 Cu 膜电阻率为1.87×10-8Ω??m,...

关键词: 镍膜 , 铜膜 , 光诱导电沉积 , 表征 , 制备

PEALD原位掺杂制备纳米TiO2-xNx光催化剂

饶志鹏 , 万军 , 冯嘉恒 , 李超波 , 夏洋

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12490

采用等离子体增强型原子层沉积(PEALD)系统原位掺杂制备了TiO2-xNx光催化剂.利用光电子能谱(XPS)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)光谱对催化剂进行了表征,并研究了TiO2-xNx纳米薄膜在可见光照射下水接触角的变化和催化降解亚甲基橙(M...

关键词: 等离子体增强原子层沉积 , 原位 , TiO2-xNx , 光催化剂

原子层沉积生长速率的控制研究进展

卢维尔 , 董亚斌 , 李超波 , 夏洋 , 李楠

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13449

原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜.该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术.作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用...

关键词: 原子层沉积 , 生长速率 , 生长机制 , 位阻效应