刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
,
朱剑豪
功能材料
采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜表征材料的微结构,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射/沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能.一系列的测试结果表明对于在5mA/cm2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅.
关键词:
多孔硅
,
超高真空电子束蒸发
,
外延
,
单晶硅
范秀强
,
张正番
,
刘永光
,
多新中
,
张苗
,
王连卫
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.012
介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电路,降低了对R-2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度.
关键词:
数模转换器
,
SOI/CMOS
,
高速度
,
模拟开关
刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.006
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 , 上层硅与氧化硅埋层界面陡直 . 对制备多孔硅的衬底材料也作了研究 , 结果表明 P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能 , 用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅 , 并且 , 在一定浓度的 HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率 , 保证了上层硅厚度的均匀性 .
关键词:
绝缘体上的硅
,
多孔硅
,
外延
符晓荣
,
宋志棠
,
多新中
,
林成鲁
,
武光明
无机材料学报
以硝酸镁为起始原料，胶棉液为添加剂，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备ＭｇＯ薄膜，结果表明，胶棉液是形成ＭｇＯ溶胶的关键组份；薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关．同时，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对薄膜的微观结构进行了分析．
关键词:
薄膜
,
thin films
符晓荣
,
武光明
,
宋志棠
,
多新中
,
林成鲁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.05.021
以硝酸镁为起始原料, 胶棉液为添加剂, 在Si(100)衬底上成功地制备MgO薄膜, 结果表明, 胶棉液是形成MgO溶胶的关键组份; 薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关. 同时, 用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)对薄膜的微观结构进行了分析.
关键词:
薄膜
,
溶胶-凝胶法
