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含EDOTBT结构单元低能隙聚合物的合成及性能

姚尧 , 徐延明 , 李坚 , 任强 , 汪称意 , 盛刚

高分子材料科学与工程

采用Heck反应制备了以3,4-乙撑二氧噻吩(EDOT)为供体,苯并噻二唑(BT)为受体的D-A型单体4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯并噻二唑(EDOTBT);采用Suzuki反应合成了一种低能隙的共轭聚合物4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯并噻二唑-芴共聚物(PEDOTBTF6).通过核磁共振、热失重、凝胶渗透色谱、紫外-可见先光谱、循环伏安等对其进行了分析研究.结果表明,成功合成了单体EDOTBT及共轭聚合物PEDOTBTF6,所得共聚物具有较高的相对分子质量,在有机溶剂中具有较好的溶解性,且具有良好的热稳定性.PEDOTBTF6具有较低的能带隙,其光学带隙宽为1.65 eV.通过循环伏安法测得其HOMO和LUMO能级分别为-5.23 eV,-3.58 eV.由该共聚物制备的聚合物太阳能电池具有良好的光电性能.初步研究表明,当退火温度为160℃,退火时间为20 min时,所得到的聚合物太阳能电池的短路电流(Jsc)为1.6 mA/cm2;开路电压(Voc)为0.5 V;先电转换效率(PCE)为0.21％.

关键词: Suzuki偶合反应 , D-A型共轭聚合物 , 低能隙 , 聚合物太阳能电池

Ba(Mg_1/3Ta_2/3(1+x))O₃陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能

卞建江 , 赵梅瑜 , 姚尧 , 殷之文

无机材料学报

本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究．发现：（1）位Ta过量可促进BMT的烧结，而Ta缺量则阻碍其烧结．（2）B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关，而且还同其缺陷类型有关．B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高．（3）BMT样品的Q·f值随Ta过量的增加而降低．相对介电常数则随之增加．

关键词: 位非化学计量比 , null , null , null

合成工艺对BiNbO₄微波介质陶瓷的影响

姚尧 , 赵梅瑜 , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文研究了BiNbO₄粉料合成温度及烧结助剂CuO-V₂O₅添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响．结果表明：合成温度为850℃／2h及合成后加入烧结助剂CuO-V₂O₅的BiNbO₄陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能：在100MHz，ε_r＝49～52，在3GHz，ε_r＝44，Q＝2000～2300，τ_r＝38ppm（-40～25℃）；τ_r＝±6ppm（25～85℃）．

关键词: BiNbO₄ , synthesizing process , microwave dielectric properties

固相法合成单相Ba₂Ti₉O₂₀粉体

姚尧 , 赵梅瑜 , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文以BaTiO₃和TiO₂为原材料，采用传统制备工艺，混合后粉料于不同合成温度（800～1150℃）和保温时间（1／60～64h）进行固相合成反应·基于XRD相分析结果，得出合成温度为1000～1150℃、保温时间为4～32h时，反应产物均为单相Ba₂Ti₉O₂₀粉体．并得出：组成元素Ba和Ti分布均匀性是影响Ba₂Ti₉O₂₀生成的一个重要工艺因素．

关键词: 固相反应 , null , null

基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

周晶晶 , 肖少庆 , 姚尧 , 顾晓峰

人工晶体学报

本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征.采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果.结果表明,氮硅原子比为0.4的SiN0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29％,而且其钝化效果最好.最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 mV.

关键词: SiNx , 等离子体化学气相沉积 , 表面钝化 , 容性放电

利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化

姚尧 , 肖少庆 , 刘晶晶 , 顾晓峰

人工晶体学报

运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18％.

关键词: 异质结太阳电池 , 透明导电氧化物薄膜 , AFORS-HET , 功函数

低温烧结Nb2O5-Bi2O3-ZnO系高频介质陶瓷

姚尧 , 王依琳 , 赵梅瑜

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.04.031

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