材料期刊网

基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管

姚绮君 , 李曙新 , 张群

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.025

在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49:49:2.所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec.和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用.

关键词: 薄膜晶体管 , 氧化锌 , 氧化铟 , 氧化钛