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本文利用射频磁控溅射法在200℃的玻璃衬底上沉积了纳米晶PbSe薄膜,薄膜厚度分别为200 nm、250 nm、500 nm及600 nm.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及紫外-可见分光光度计,分别研究了不同厚度PbSe薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性.结果表明:随膜厚增大,PbSe (200)晶面的择优取向显著增强,薄膜的结晶质量逐渐提高.此外,随薄膜厚度增加吸收边发生红移.膜厚为200nm、250 nm时,薄膜的禁带宽度为1.89 eV和1.60 eV;膜厚较大(500 nm及600 nm)时,带隙宽度减小至1.41 eV和1.34 eV,与太阳的光谱辐射更加匹配.因此,我们认为厚度较大的PbSe薄膜更适于用做太阳能电池的吸收层.

关键词: PbSe薄膜 , 磁控溅射 , 膜厚 , 光学性能

CSP热轧薄板SS400表面边裂缺陷形成原因探讨

王小燕 , 李月兰 , 丰慧 , 姚静

连铸 doi:10.3969/j.issn.1005-4006.2006.01.008

对CSP工艺生产的SS400钢板表面出现的边裂进行了研究,分析了形成表面边裂的影响因素,并提出相应的改进措施,获得较好的效果.

关键词:

垂直Bridgman法生长CaF2单晶传热过程的数值分析

姚静 , 周海 , 卢一民 , 万汉城

材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20150408

采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析，准稳态模型简化模拟计算过程。研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响，讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响。研究表明：晶体生长过程中界面凸度发生变化；晶体生长速率与坩埚下降速率不一致；25 K／cm为合适的梯度区温度梯度；晶体内部辐射传热对单晶生长传热过程有重要影响。计算结果表明，3个时期的固相等温线的曲率小于液相的。根据数值模拟结果进行了晶体生长实验，生长出的晶体完整，透明，无宏观缺陷。

关键词: CaF2 , 有限元法 , 垂直Bridgman法 , 数值模拟 , 传热 , 温度场