王金忠
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王新强
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闫玮
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殷宗友
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马燕
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姜秀英
,
杨树人
,
高鼎三
,
杜国同
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.005
在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数.当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低.当温度为550oC时,可生长出O:Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜.
关键词:
XRD
,
SEM
,
化学计量比
,
ZnO
王金忠
,
王新强
,
王剑刚
,
姜秀英
,
杨树人
,
杜国同
,
高鼎三
,
功能材料
用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm.这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高.
关键词:
等离子体辅助MOCVD
,
X光衍射
,
光致发光
,
激光阈值
