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检索条件:作者=姜胜林  

  • 论文(24)

工艺因素对Bi2O3、MnO2掺杂[(Pb,Ca)La](Fe,Nb)O3陶瓷体系微波介质性能的影响

胡明哲 , 周东祥 , 黄静 , 姜胜林 , 王浩 , 章天金 , 顾豪爽

功能材料

研究了烧结工艺对Bi2O3及MnO2掺杂[(Pb0.5Ca0.5)0.92 La0.08](Fe0.5 Nb0.5)O3陶瓷体系显微结构及介电性能的影响.研究表明Bi2O3及MnO2的加入可降低体系的烧结温度100~140℃,同时提高体密度.XRD图谱、SEM及微波介电性能证明950℃是最佳的煅烧温...

关键词: 低温烧结 , 掺杂 , 显微结构 , 微波介电性能

新型PST铁电薄膜的制备及其电性能研究

李元昕 , 刘梅冬 , 曾亦可 , 姜胜林 , 邓传益

材料导报

PST铁电薄膜是一种具有优良铁电、热释电和介电等性能的铁电材料.该材料在红外探测器、红外焦平面阵列、热成像器件、非易失性铁电存储器和大容量电容器等方面具有广泛的应用.PST铁电薄膜的制备方法多种多样,各具优缺点,不同的制备工艺对薄膜的性能有影响.叙述了PST铁电薄膜的制备技术、电性能和在热释电红外探...

关键词: PST薄膜 , 制备工艺 , 铁电性 , 热释电性 , 介电性

压电厚膜的研究现状及趋势

熊龙宇 , 姜胜林 , 曾亦可 , 张海波 , 王青萍

材料导报

随着电子元器件向小型、高灵敏、集成、多功能化方向发展,薄/厚膜材料及器件逐渐成为研究的重点.由于压电厚膜(10~100μm)兼具有压电陶瓷与压电薄膜的优点,是各种微型传感器和执行器的核心部分,已引起世界各国研究者极大的兴趣,但是大多数研究还处于实验阶段.评述了压电厚膜的制备方法、测试表征以及应用状况...

关键词: 压电厚膜 , 压电测试 , 压电器件

用改进的Sol-Gel方法制备PZT铁电薄膜的化学反应历程

陈实 , 姜胜林 , 曾亦可 , 邓传益 , 刘梅冬

功能材料

通过傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析.结果表明,采用硝酸氧锆(ZrO(NO3)2·2H2O)为锆源并使用单一溶剂制备PZT铁电薄膜,溶胶-凝胶化过程中化学反应相对简单,多组分系统稳定性较高,工艺条件易于控制,...

关键词: 硝酸氧锆 , PZT铁电薄膜 , sol-gel方法 , 化学反应过程

空气中烧成镍电极与PTCR的欧姆接触

邓传益 , 李秀峰 , 肖腊连 , 姜胜林 , 曾亦可

功能材料

对用厚膜烧成法在PTCR半导瓷上制备镍电极进行了研究.实验表明空气中烧渗镍电极可以和PTCR形成良好的欧姆接触.讨论了镍电极的形成机理及其与PTCR半导瓷的接触特性.

关键词: 镍电极 , 欧姆接触 , PTCR

铁电陶瓷基光子晶体发展现状及其应用

姜胜林 , 周莹 , 易金桥 , 何俊刚

材料导报

铁电陶瓷基光子晶体在外场激励作用下发生铁电相变,可用于制备带隙可调光子晶体.主要介绍了不同维度铁电陶瓷基光子晶体的常用制备方法,总结了每种方法的特点及代表性的研究成果,阐述了铁电陶瓷基光子晶体的应用,最后提出了铁电陶瓷基光子晶体的发展趋势.

关键词: 铁电陶瓷 , 光子晶体 , 可调带隙 , 光子禁带

常温高性能PMN-PMS-PZT热释电材料

任伏龙 , 曾亦可 , 姜胜林 , 易飞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.017

研究了组分改变对PMN-PMS-PZT(铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅)热释电陶瓷材料的相组成、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果进行了分析.实验结果表明:通过改变材料Zr/Ti的比例,在陶瓷介电常数εr和介电损耗tanδ变化不大的情况下,使得热释电系数的峰值向室温附近移动;在Zr/Ti=...

关键词: PMN-PMS-PZT , 介电性能 , 热释电性能

薄/厚膜压电参数测量方法的研究进展

王青萍 , 姜胜林 , 熊龙宇 , 曾亦可

材料导报

介绍了当前测量薄/厚压电参数的2大类方法:直接测量法(包括Berlincourt法、圆片弯曲技术、激光干涉法、扫描激光多普勒振动法、原子力显微镜法)和间接测量法(包括体声波响应和表面声波响应法、复合谐振法).详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况和存在的问题,比较了这些方法的优缺点.结果表...

关键词: 薄/厚膜 , 压电参数 , 测量方法

退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响

姜胜林 , 林汝湛 , 曾亦可 , 刘梅冬

材料研究学报

应用新型溶胶--凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜, 研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响. 结果表明, 采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn$_{7}$Sb$_{2}$O$_{12}$及ZnCr$_{2}$O$_{4}$相, 且在退火温度范围内(550$\sim$950℃)基本上没...

关键词: 无机非金属材料 , a novel sol-gel process , annealing temperature

退火温度对PVDF薄膜结构的影响及其性能研究

仝金雨 , 姜胜林 , 刘栋 , 金学淼

功能材料

通过拉伸工艺,在不同的退火温度下,制备了PVDF薄膜,用XRD分析了退火温度对拉伸PVDF薄膜β相含量的影响.实验结果表明,退火温度为120℃时,β相的含量达到最大值,薄膜呈现明显的铁电性,矫顽场接近1.0mV/cm,电位移D为5μC/cm2.在25℃时,薄膜的热释电系数p为0.3×10-8C/cm...

关键词: PVDF , 热释电性 , 铁电性

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