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半导体Si(111)上电沉积NiFe缓冲层薄膜

姜莹 , 姚素薇 , 张卫国 , 王宏智

功能材料

采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件.由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度>25 nm时,可形成连续性镀层.I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长,在高过电位下以二维层状模式生长,其RMS表面粗糙度最小值仅为0.5 nm.XRD结果表明,薄膜为面心立方Ni基固溶体结构,并具有明显的(111)晶面择优取向.当薄膜组成为Ni80Fe20时,各向异性磁电阻效应(AMR)最大,AMR值为1.8%.

关键词: 电沉积 , NiFe缓冲层 , 纳米晶 , 生长模式 , AMR

正渗透膜分离关键技术及其应用进展

胡群辉 , 邹昊 , 姜莹 , 彭博 , 刘旦 , 梁剑

膜科学与技术

正渗透是一种新型的膜分离技术,具有能耗低、膜污染小及回收率高等优点,近年来在国际上得到了广泛的关注.本文介绍正渗透膜分离技术的基本原理;综述正渗透膜分离关键技术驱动液与膜材料的最新进展;简述正渗透膜分离技术的最新应用;展望正渗透膜分离技术的重点研究方向.

关键词: 正渗透 , 渗透压 , 膜材料 , 驱动液

基于1,2,4-三羧基-3-羧甲基环戊烷二酐的可溶性聚酰亚胺垂直取向剂的制备及性能

栗彦娜 , 房玉庆 , 孙振 , 姜莹 , 汪映寒

高分子材料科学与工程

采用1,2,4-三羧基-3-羧甲基环戊烷二酐(TCA)、4,4’-二氨基二苯甲烷(MDA)及长侧链二胺4-十二烷氧基苯甲酸酯联苯酚-3’,5’-二胺基苯甲酸酯(DBPDA)共聚制备了一系列的聚酰亚胺。并对其溶解性能、透光性能及取向性能进行了测试。结果显示,聚酰亚胺在有机溶剂中可溶,成膜后紫外透光率较高,在波长400 nm~700 nm之间,其膜的透光率高达90%以上。所有聚酰亚胺取向剂摩擦前后均能使液晶分子垂直取向,摩擦前预倾角为90°,摩擦后预倾角仍在89°以上。

关键词: 聚酰亚胺 , 有机可溶 , 透光率 , 垂直取向 , 预倾角

聚酰亚胺液晶垂直取向膜的表面取向分析

姜莹 , 孙振 , 房玉庆 , 汪映寒

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112601.0009

采用均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4'-二胺基二苯甲烷(MDA)以及侧基含联苯和己基的二胺(TBCA)三元共聚制备了聚酰亚胺垂直取向剂,摩擦前后得到相同的垂直取向效果,探讨了侧链二胺TBCA的含量对聚酰亚胺取向膜垂直取向性能的影响,采用衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)对摩擦前后聚酰亚胺膜表面侧链的相对含量进行了对比,并运用原子力显微镜(AFM)考察了表面细微沟纹对液晶分子取向的影响.结果表明,在取向膜未经摩擦没有产生表面沟纹的情况下液晶分子也能取向,并且这类取向膜表面侧链的含量与摩擦后的含量相当.

关键词: 垂直取向 , 聚酰亚胺 , 取向膜 , 侧链 , 沟纹

电沉积巨磁电阻纳米材料的研究进展

姜莹 , 姚素薇 , 吴海霞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.11.015

对二维纳米巨磁电阻材料(包括纳米金属多层膜(人工超晶格)、不连续多层膜、自旋阀多层膜、纳米金属颗粒膜等)和一维纳米巨磁电阻材料--纳米金属多层线的电化学制备、性能进行了总结.介绍了巨磁电阻材料在制作超高灵敏度微型传感器、高密度读出磁头、磁随机存储器以及磁电子器件等方面的应用.指出了纳米巨磁电阻材料在制备及应用过程中存在的问题及其今后的发展方向.

关键词: 巨磁电阻效应 , 制备 , 纳米 , 材料 , 传感器 , 磁存储器

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