郝兰众
,
李燕
,
邓宏
,
刘云杰
,
姬洪
材料导报
通过研究发现,利用激光分子束外延技术生长的LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜具有良好的电学性能,其剩余极化可达到25μc/cm2.性能决定于结构,因此本文分析研究了LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜的界面结构.首先通过高能电子衍射技术在薄膜生长过程中对各层的生长及界面状况进行观测,再通过小角X射线衍射曲线及其计算机拟合曲线进一步确定超晶格薄膜的界面及结构参数,如界面的粗糙度、单层厚度等.通过研究发现,由于晶格之间的差异,LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜中LaAlO3和BaTiO3层的生长过程及微结构存在着一定的差异.
关键词:
超晶格薄膜
,
LaAlO3/BaTiO3
,
高能电子衍射
,
小角X射线衍射
,
激光分子束外延技术
杨洪东
,
于奇
,
王向展
,
李竞春
,
罗谦
,
姬洪
材料导报
为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.
关键词:
氮化硅
,
应变测量
,
高分辨X射线衍射
,
应变硅
邹春梅
,
左长明
,
路胜博
,
催旭梅
,
姬洪
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.001
用MOD方法在LAO基片上沉积不同厚度的YBCO薄膜.用X射线衍射仪对这一系列样品进行表征分析,研究随着薄膜厚度的增加微结构的变化及临界电流密度的变化.X射线衍射分析发现YBCO薄膜取向度随薄膜厚度的增加,在800nm时取得最佳值之后又随厚度增加由强变弱.晶格常数c随着膜厚的增加而增大.本研究对这一系列样品进行了φ扫描分析和摇摆曲线半高宽的计算,并对800nm的YBCO薄膜做了倒易空间图谱分析,实验结果发现800nm的YBCO薄膜晶化比较好.本研究还分析了薄膜厚度对YBCO薄膜临界电流密度的影响.
关键词:
YBCO薄膜
,
微结构
,
晶格常数C
,
φ扫描
,
倒易空间
,
临界电流密度
,
摇摆曲线
张宇
,
左长明
,
王小平
,
宋晓科
,
姬洪
材料导报
铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系.采用X射线衍射( XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12(B1T)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理.3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:a轴择优的BIT薄膜性能最好.
关键词:
BIT
,
自缓冲层
,
择优取向
,
应力
,
摇摆曲线
郝兰众
,
李燕
,
邓宏
,
刘云杰
,
姬洪
,
张鹰
功能材料
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜.在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析.通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小.超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同.
关键词:
LaAlO3/BaTiO3
,
超晶格薄膜
,
RHEED
,
临界厚度
王敬宇
,
左长明
,
姬洪
材料导报
室温下利用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO3/Si(100)上淀积了约200nm厚的PZT铁电薄膜,在N2(纯度为99.999%)气氛中以不同升温速率进行快速热退火,采用X射线衍射法表征其残余应力.结果表明,薄膜中的应力不是二维应力而是三维应力,且除了切应力σ22以外的大部分应力张量的分量为张应力;薄膜中张应力的增大主要是由于氧空位与晶粒尺寸共同作用的结果,而该应力的减小是由于晶粒尺寸在薄膜应力演变过程中占主导地位所致.
关键词:
X射线衍射
,
应力
,
氧空位
,
晶粒尺寸
