张雯
,
王继扬
,
季振国
,
李红霞
,
娄垚
人工晶体学报
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响.衬底温度为室温时生长的薄膜经过800 ℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构.衬底温度为400 ℃时生长的薄膜经过800 ℃退火处理后呈现无序的多晶形态.当退火温度进一步升高至1000 ℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构.表面形貌分析表明:衬底温度为400 ℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷.
关键词:
La3Ga5SiO14薄膜
,
脉冲激光沉积
,
退火温度
,
微观结构
季振国
,
娄垚
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD, 紫外－可见透射光谱, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响. 结果发现, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜中的螺型位错密度减少, 但是刃型位错密度增加, 因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能. 进一步地分析测试结果表明, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜内的Al含量增加, 导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移, 因此适当提高沉积温度（1000～1050℃）是获得高Al含量AlxGa1-xN薄膜的一种有效手段, 但是过高的沉积温度（>1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.
关键词:
AlGaN
,
high Al content
,
MOCVD
,
epitaxy
,
deposition temperature
季振国
,
娄垚
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的Al_xGa_(1-x)N薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的Al_xGa_(1-x)N外延膜缺陷密度以及发光性能的影响.结果发现,随着沉积温度的升高,Al_xGa_(1-x)N薄膜中的螺型位错密度减少,但是刃型位错密度增加,因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能.进一步地分析测试结果表明,随着沉积温度的升高,Al_xGa_(1-x)N薄膜内的Al含量增加,导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移,因此适当提高沉积温度(1000～1050℃)是获得高Al含量Al_xGa_(1-x)N薄膜的一种有效手段,但是过高的沉积温度(>1100℃)不利于提高薄膜的发光强度.
关键词:
AlGaN
,
高铝含量
,
MOCVD
,
外延
,
沉积温度
