杨克勤
,
陈厦平
,
杨伟锋
,
孔令民
,
蔡加法
,
林雪娇
,
吴正云
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.024
采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏...
关键词:
光电子学
,
4H-SiC
,
Schottky势垒高度
,
退火
孔令民
,
蔡加法
,
陈主荣
,
吴正云
,
牛智川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.017
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结...
关键词:
InAs量子点
,
浸润层
,
时间分辨谱
