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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象

孔伟华

无机材料学报

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In₂O₃。主相分解为In₂O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

关键词: 直流磁控反应溅射 , ITO target , poisoning phenomenon

ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象

孔伟华

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.031

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

关键词: 直流磁控反应溅射 , ITO , 毒化现象

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