李睿
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王俊
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孔蔚然
,
马惠平
,
浦晓栋
,
莘海维
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王庆东
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.014
本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.
关键词:
静态随机存储器
,
单比特位失效
,
多晶硅栅耗尽
董耀旗
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孔蔚然
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.008
Fowler-Nordheim隧穿被广泛应用于EEPROM和闪存中的擦除操作.多晶硅到多晶硅的F-N隧穿具有较高的隧穿效率.本论文基于分栅闪存存储器的结构,对于多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅非平面结构的F-N隧穿及其引起的氧化层退化进行了研究.相比于平面结构,非平面结构显示出更高的F-N隧穿效率,且隧穿效率还可通过降低氧化层厚度或者增加预热氧化处理的方法进一步提高.较低的F-N隧穿电流密度显示出较慢的隧穿氧化层退化速率.降低氧化层厚度或者增加热氧化处理也可减缓隧穿氧化层的退化.另外,论文还讨论了研究结果对于改善分栅闪存擦除特性以及耐久性的意义.
关键词:
氧化层退化
,
F-N隧穿
,
闪存存储器
