许业文
,
何忠伟
,
徐政
,
孙丹峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.014
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.
关键词:
钴和锰掺杂
,
低压ZnO压敏电阻
,
压敏电压梯度
,
非线性系数
,
漏电流
王亮
,
樊东辉
,
林枞
,
徐政
,
孙丹峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.028
利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.
关键词:
ZnO压敏电阻
,
正电子寿命谱
,
简单捕获态模型
林枞
,
徐政
,
彭虎
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00917
研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900～1200℃, 保温时间从20min～2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4, 生长激活能为225kJ/mol, 传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2, 生长激活能为363kJ/mol. 液相Bi2O3、尖晶石相和微波的“非热效应”是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
关键词:
微波烧结
,
zinc oxide varistor
,
densification
,
grain growth kinetics
许业文
,
范卓维
,
徐政
,
孙丹峰
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.013
在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究.发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界.而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界.通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释.
关键词:
低压氧化锌压敏电阻
,
烧成温度
,
氧化铋
,
二氧化钛
,
晶粒晶界
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
protuberance
,
polar growth
,
crystal structure
,
Bi2O3 liquid phase
李磊
,
徐政
,
林枞
,
孙丹峰
,
彭虎
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.023
采用微波和传统烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,比较了微波和传统烧结ZnO压敏电阻的相组成、表面微观结构和电性能,探讨了烧结温度和保温时间对微波烧结样品的致密化和电性能的影响.与传统工艺相比,微波烧结工艺明显改善了ZnO压敏电阻的致密化行为,缩短了烧结周期,改善了电性能.优化的微波烧结样品的压敏电压U1mA为521.8V,非线性系数α是61.4,漏电流IL为1.25×10-6A,残压比Kr为1.45,通流量Im达11600A,均达到或超过了传统工艺水平.微波烧结样品的通流量Im更是比传统烧结样品高约50%.
关键词:
微波烧结
,
ZnO压敏电阻
,
微观结构
,
电性能
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.016
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状"突起物"现象.通过能谱发现"突起物"的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
突起物
,
极性生长
,
晶格结构
,
氧化铋液相
林枞
,
徐政
,
彭虎
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.028
研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～1200 ℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kJ/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi2O3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
关键词:
微波烧结
,
氧化锌压敏电阻
,
致密化
,
晶粒生长动力学
