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GdCOB晶体的坩埚下降法生长

钟真武 , 罗军 , 范世(马山豆) , 钱国兴 , 林雅芳 , 孙仁英

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.004

本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30~40℃/cm,生长速度0.2~0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.

关键词: 非线性光学晶体 , GdCOB晶体 , 垂直Bridgman法

铌酸钾锂晶体的生长研究

徐家跃 , 孙仁英 , 林雅芳 , 范世 , 徐学武

无机材料学报

首次使用坩埚下降法生长了蓝光掊频晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0<x<0.5),探讨了该晶体的最佳生长条件,包括组份选择、原料处理、炉温控制、温场设计等,成功地生长出直径10mm、长度25mm的透明KLN晶体.

关键词: 铌酸钾锂 , crystal , modified Bridgman technique , growth

氟化物激光晶体 Nd3+:LiYF4的坩埚下降法生长

陈红兵 , 范世 , 徐家跃 , 费一汀 , 孙仁英

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.025

本文报道了氟化物激光晶体Nd3+: LiYF4的坩埚下降法生长工艺.采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照LiF: YF3 = 51.5 : 48.5的比例配料,控制炉体温度于920960C,晶体生长速度为0.40.8 mm/h,通过密闭条件下的坩?埚下降法生长出尺寸为25mm80mm的完整单晶.

关键词: 激光晶体 , 氟化钇锂 , 氟化处理 , 晶体生长 , 坩埚下降法

过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能的研究

费一汀 , 孙仁英 , 范世(马岂)

无机材料学报

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律.

关键词: 坩埚下降法 , BSO and Fe , Cr doped BSO crystals

稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能

费一汀 , 孙仁英 , 范世(马豈)

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.007

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12晶体及Ce、Nd和Eu掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性.

关键词: 坩埚下降法 , Bi4Si3O12及掺杂Bi4Si3O12晶体 , 透射光谱 , 光产额 , 激发-发射光谱 , 闪烁晶体

过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能的研究

费一汀 , 孙仁英 , 范世(马岂)

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.03.005

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律.

关键词: 坩埚下降法 , BSO及Fe、Cr掺杂BSO晶体 , 闪烁性能

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