武蕴忠
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孙承龙
金属学报
电迁移过程中试样内非平衡缺陷的积累使电阻增大,其电阻变化率为:d(ΔR/R_0)/dt=cmj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT)和d(ΔR/R_0/dt)=c_1mj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0(2(T-T_e)+α(T-T_e)~2)~(1/2)/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT) 用此二式可精确确定金属薄膜的电迁移激活能。用第一式确定的Al-3.2％Cu合金薄膜的电迁移激活能Q=0.65±0.04eV;用第二式处理Hummel的实验结果,则纯Al薄膜的Q值与原作者一致。
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