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热浸镀锌池中的Bi对Q235钢和Q345钢硅反应性的作用

孙捷 , 万明攀

材料保护

目前,有关热浸镀锌池中Bi对含硅钢硅反应性的作用尚不明确。将Q235钢和Q345钢在纯锌池及含Bi的锌池中热浸镀,研究熔池中Bi对硅反应性的作用。结果表明:锌池中单独加入Bi对镀层厚度无影响,不能克服硅反应性现象,镀层组织仍然具有硅反应性组织的特征;同时加入Bi和Ni,对低含硅量的Q235钢的硅反应性有一定的抑制,但对高含硅量的Q345钢的硅反应性没有抑制。

关键词: 热浸镀锌 , Bi , 硅反应性 , Q235 , Q345 , 镀层

GaAs衬底上立方GaN的低温生长

顾彪 , 徐茵 , 秦福文 , 丛吉远 , 张砚臣 , 孙捷

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.016

研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.

关键词: 立方GaN , 低温生长 , 活化氮源 , ECR-PAMOCVD

集成电路薄膜工艺的新进展--化学液相淀积

孙捷 , 孙迎春

材料导报

介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用,并报道了一些最新研究成果.

关键词: 化学液相淀积 , 氧化物 , 集成电路

汽车曲轴热加工表面开裂原因分析

孙捷 , 万明攀 , 何敏 , 王丽远

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.09.022

用电子探针X射线微区分析仪、金相检验等方法对42CrMo汽车曲轴生产过程中出现表面裂纹的原因进行了分析.结果表明:原材料中存在明显的异金属夹杂物和非金属夹杂物及晶界杂质偏聚是造成曲轴淬火表面开裂的主要原因.

关键词: 42CrMo , 曲轴 , 表面裂纹 , 夹杂物

加热速度对BT25钛合金α→β相变的影响

蔡钢 , 雷旻 , 万明攀 , 孙捷

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2016.01.002

采用高精度差分膨胀仪DIL805A/D测试了BT25钛合金在不同加热速度下的线膨胀曲线,并获得了合金在相应加热速度下的β相变温度.为了验证膨胀法得到的BT25钛合金β相变温度的准确性,用金相显微镜和定量分析软件分析了β相变温度附近不同温度保温后冷却得到的金相组织中相的相对含量和组织演变规律.根据膨胀曲线分析了BT25合金在加热过程中,不同温度范围内的相变情况.最后,采用杠杆定律得到不同加热过程中BT25合金α→β相变时α相转变体积分数与温度之间的变化关系.研究结果表明:膨胀法能够准确测定不同加热速度下钛合金的α→β相变点;随着加热速度的增加,BT25钛合金α→β相变的起始温度和结束温度都升高,相变温度区间变窄,相变速率明显增大.相变速率峰值和出现峰值的温度随着加热速度的增加也增大;利用Kissinger方程计算得出了加热过程中BT25钛合金α→β相变激活能为953.15 kJ·mol-1.

关键词: BT25钛合金 , 加热速度 , 相变 , 激活能

BT25钛合金连续冷却转变曲线研究

蔡钢 , 雷旻 , 万明攀 , 孙捷 , 刘昕

稀有金属材料与工程

采用膨胀法测得BT25钛合金在不同冷却速度下的线膨胀曲线,同时用分段冷却方法证明了此膨胀曲线能够准确反映BT25钛合金在不同冷却速度时的相变过程,并结合物相分析(XRD)、扫描电镜(SEM)和显微硬度分析,获得了合金的连续冷却转变(CCT)曲线,研究了冷却速度对BT25钛合金相变组织演变规律的影响.结果表明:当冷速小于C1 (1~3℃·s-1)时,相变组织为魏氏组织;冷速大于C2(50~100℃·s-1)时,组织为a″马氏体;冷速在C1~C2时,组织为魏氏组织和a″的混合物.并且随着冷却速度的增加,魏氏组织含量减少,而α″含量增加.合金硬度随冷却速率的增加而增加.

关键词: BT25钛合金 , 连续冷却 , CCT曲线

自组装半导体量子点的电子学性质研究进展

孙捷 , 金鹏 , 王占国

金属学报

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和库仑阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料。由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点,而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值。本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析。

关键词: 自组装半导体量子点 , null

自组装半导体量子点的电子学性质研究进展

孙捷 , 金鹏 , 王占国

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.05.003

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析.

关键词: 自组装半导体量子点 , 量子尺寸效应 , 纳米电子器件

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