熊伟
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储向峰
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董永平
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毕磊
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叶明富
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孙文起
人工晶体学报
本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小.研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度.实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想；而采用含1％粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm；采用含1％粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm.
关键词:
蓝宝石
,
化学机械抛光
,
去除速率
,
表面粗糙度
,
磨料
王婕
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储向峰
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董永平
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白林山
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叶明富
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孙文起
稀有金属材料与工程
研究了抛光液中H2O2和水杨酸浓度对钌的抛光速率的影响.采用电化学方法和X射线光电子能谱分析了H2O2和水杨酸对金属钌腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜观察钌表面的微观形貌.结果表明:水杨酸浓度的增加有利于金属钌表面钝化膜的形成,抛光速率值随之增加;随着H2O2浓度的不断增加,抛光速率不断增加,当H2O2质量分数大于3％时,抛光速率值随浓度的增加而降低.抛光后的金属钉表面平均粗糙度Ra为7.2 nm.
关键词:
钌
,
化学机械抛光
,
水杨酸
