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在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

孙林林 , 刘宏玉 , 程文娟 , 马学鸣 , 石旺舟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.031

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能.结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高.

关键词: 氧化锌薄膜 , 外延生长 , 过渡层 , 光致发光

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