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回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的Ⅰ-Ⅴ性能的影响

孙柏蔚 , 胡晓宁

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.02.018

对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可...

关键词: 光电子学 , HgCdTe长波器件 , 回熔 , 暗电流