黄煦
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孙玄
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王亚洲
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冯庆荣
低温物理学报
用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)制备了MgB_2超薄膜.在背景气体压强、B_2H_6的流量和成膜时间等条件一定的情况下,当氢气的流量从200到400sccm范围内变化时,观察了其对成膜的影响.结果显示,随氢气流量增大,膜表面粗糙度增大,同时膜面的连接性变好,伴随着样品的超导转变温度得到提高.对于平均厚度是10nm和15nm的样品,氢气流量分别是200sccm和300sccm时,T_c分别是26K和33K与28K和37K.
关键词:
MgB_2超薄膜
,
HPCVD法
,
氢气流量
姚丹
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谭腾
,
冯思敏
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黄煦
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孙玄
,
冯庆荣
低温物理学报
用混合物理化学气相沉积法(hybrid physics-chemical vapor deposition简称为HPCVD)在Nb衬底上生原位制备了平均厚度是1.5μm的MgB2多晶膜样品,其起始超导转变温度Tc(onset)=39.37K,转变宽度△Tc=0.45K.样品由大量六边型片状晶粒组成.对样品进行了韧性测试,可以发现膜在弯曲120°后,虽然弯曲面处出现了裂纹,但膜仍很牢固的附着在衬底上,其超导电性仍可保持.
关键词:
混合物理化学气相沉积法
,
Nb衬底
,
MgB2膜
,
韧性
孙玄
,
黄煦
,
王亚洲
,
冯庆荣
低温物理学报
本文报导了利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition, HPCVD)在SiC(0001)衬底上制备干净的MgB_2超薄膜.在背景气体压强、载气H_2流量等条件一定的情况下,改变B_2H_6流量及沉积时间,制备不同厚度的MgB_2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K)、上临界场H_(c2)等与膜厚的关系.这系列超薄膜生长沿c轴外延,随膜厚度的变小T_(c(0))降低,ρ(42K)升高,膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式,对于10nm厚的膜,T_(c(0))～32. 4K, ρ(42K) ～124. 92μΩ·cm,其表面连接性良好,平均粗糙度为2. 72nm,上临界磁场H_(c2(0K)0 ～12T,零场4K时的临界电流密度Jc～107 A/cm2,为迄今为止所观测到的10nm厚MgB_2超薄膜的最高Jc值,这也证明了10nm厚的MgB_2膜在超导纳米器件上具有很强的应用潜力.
关键词:
MgB_2超薄膜
,
混合物理化学沉积法(HPCVD)
,
10nm厚超薄膜
