孙甲明
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张俊杰
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杨阳
,
张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况.通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm、543 nm、440 nm)至紫外(316 n...
关键词:
半导体光电子
,
电致发光
,
MOS器件
,
稀土离子
,
二氧化硅
张俊杰
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孙甲明
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杨阳
,
张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响.随着纳米硅微晶的增多,Er离子...
关键词:
铒
,
电致发光
,
光致发光
,
二氧化硅
,
纳米硅
杨阳
,
孙甲明
,
张俊杰
,
张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响.随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光...
关键词:
束缚激子
,
离子注入
,
硼
,
退火
,
调制掺杂
张新霞
,
孙甲明
,
张俊杰
,
杨阳
,
刘海旭
材料科学与工程学报
本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性.以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光.Si/SiO2超晶格的电致发光亮度随电压升高呈现指数增强,最高发光亮...
关键词:
超晶格
,
电致发光
,
Si量子点
,
电子平均自由程
