宋英
,
牛丽丹
,
卢艳
,
孙秋
,
王福平
稀有金属材料与工程
本文介绍高分子网络凝胶法的特点,总结影响反应的主要因素,包括温度、单体与交联剂的比例、络合剂等;综述高分子网络凝胶法在高温超导材料、氧化物热电材料、燃料电池材料及纳米荧光材料等多组分氧化物粉体合成中的应用,并对其今后的发展趋势进行展望.
关键词:
高分子网络凝胶法
,
合成
,
多组分氧化物
,
纳米粉体
,
复合粉体
陈向群
,
王娟
,
孙秋
,
蔡伟
,
王福平
高分子材料科学与工程
文中简要概述了聚苯并口恶唑-酰亚胺的性能和应用,并对聚苯并口恶唑-酰亚胺的合成作了较详细的综述,特别阐述了在多聚磷酸中"一锅法"合成聚苯并口恶唑-酰亚胺合成的新方向,以及展望了聚苯并口恶唑-酰亚胺合成研究的前景.
关键词:
聚苯并口
,
恶唑-酰亚胺
,
合成
,
多聚磷酸
,
"一锅法"
孙秋
,
魏兆冬
,
王福平
,
姜兆华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00872
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT); 介电测试结果表明, 1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大, 2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大, Gd掺入量>2mol%时, 薄膜的介电常数下降; 薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势, 而可逆极化值变化较小. 在弱电场下(低于矫顽场Ec), 用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律, 1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大, 说明薄膜中缺陷的浓度最低. 1mol%Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd3+在PZT晶格中的占位情况有关.
关键词:
PZT薄膜
,
rare-earth doping
,
dielectric properties
,
polarization
孙秋
,
魏兆冬
,
王福平
,
姜兆华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.002
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT);介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大,2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大,Gd掺入量>2mol%时,薄膜的介电常数下降;薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势,而可逆极化值变化较小.在弱电场下(低于矫顽场Ec),用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律,1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大,说明薄膜中缺陷的浓度最低.1mol%Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd3+在PZT晶格中的占位情况有关.
关键词:
PZT薄膜
,
稀土掺杂
,
介电性能
,
极化行为
孙秋
,
成海涛
,
王福平
稀有金属材料与工程
近几年,PZT铁电存储器的商业应用受到了广泛关注,但PZT电容器的疲劳现象已成为其应用的严重障碍,变换电极是改善PZT电容器抗疲劳特性的有效方法.系统地介绍了PZT铁电薄膜用电极材料的结构、性能及其特点,比较了不同电极材料对PZT铁电薄膜结构及铁电性能的影响,并对导电金属氧化物电极改善抗疲劳特性的机制进行了一定的分析,提出了电极材料的主要问题和发展方向.
关键词:
PZT
,
铁电薄膜
,
电极
,
铁电性能
孙秋
,
王福平
,
姜兆华
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶技术制备稀土Gd掺杂的PZT(PGZT)前驱体溶胶.以(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)为衬底,采用旋涂法和快速热处理技术制备PGZT薄膜.X射线衍射(XRD)分析结果表明,450℃预烧,650℃快速热处理得到(100)择优取向的薄膜.用扫描电镜(SEM)对稀土Gd不同掺入量薄膜的表面形貌进行分析,薄膜的表面平整,无裂纹;用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面的粗糙度进行分析.PGZT薄膜铁电性能测试结果表明,1%(摩尔分数,下同)Gd-PZT薄膜的剩余极化强度(2Pr)为46.373μC/cm2,经1010次极化循环后,剩余极化值减小45%;当Gd掺入量大于1%时,薄膜的剩余极化强度减小.对稀土Gd3+掺杂改性机理进行初步分析,可能是由于稀土掺入量小于1%时,稀土起施主掺杂剂作用,而施主掺杂可以明显改善PZT的疲劳特性;当稀土掺入量大于1%时,稀土起受主掺杂剂作用.
关键词:
稀土掺杂
,
PZT薄膜
,
溶胶-凝胶
,
微观结构
,
铁电性能
