侯岳翔
,
李树奎
,
孙红婵
,
鲁旭东
,
宋修纲
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.05.016
用扫描电镜上的EBSD装置研究化学气相沉积法制备的高纯钨的晶体取向,化学气相沉积钨具有{110}<001取向织构;用电子万能试验机和分离式霍普金森杆(SHPB)研究纯钨的准静态(10-3s-1)和动态(2000～5000 s-1)压缩力学性能.并与等轴晶重熔钨进行对比分析,沉积钨的屈服强度由静态时的1350 MPa上升到动态时的2000 MPa以上.是应变率敏感材料,等轴晶纯钨的静动态屈服强度高于柱状晶沉积纯钨,柱状晶沉积纯钨有明显的应变硬化效应.沉积钨柱状晶组织的塑性变形方式除滑移外,还有大量的孪晶产生.
关键词:
化学气相沉积
,
应变率效应
,
力学性能
,
高纯钨
,
变形机制
孙红婵
,
胡冰
,
张桓
,
李晨辉
,
王鑫阁
,
张红松
硅酸盐通报
采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.
关键词:
碳化硅
,
钨丝
,
烧结工艺
谭成文
,
孙红婵
,
于晓东
,
李树奎
,
王富耻
,
才鸿年
稀有金属材料与工程
采用较低温度下的化学气相沉积技术制备了高纯钨,利用分离式HOPKINSON压杆装置对制备的高纯钨和商用粉末烧结纯钨进行应变率为1000/s～2000/s的冲击加载,对冲击后的样品进行了变形机制对比分析.结果表明:在冲击载荷作用下粉末烧结纯钨变形机制以滑移和晶界滑动为主,而化学气相沉积纯钨则是孪生变形起到很大的作用;临近孪生间的交互作用会产生2种类型的穿晶断裂,这是化学气相沉积纯钨致脆的原因;在低于103/s应变率量级化学气相沉积纯钨不会发生绝热剪切,难以与钨合金一样通过绝热剪切变形提高其塑性变形能力.
关键词:
化学气相沉积
,
高纯钨
,
变形机制
,
穿晶断裂
孙红婵
,
李树奎
,
于小东
,
谭成文
,
王富耻
稀有金属材料与工程
利用光学显微镜、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜的电子背散射衍射花样(electronic backscatter ring diffraction,EBSD),对用化学气相沉积制备的高纯钨进行了微观结构和晶面取向分析:利用霍普金森压杆系统和电子万能试验机测试了高纯钨的动态和准静态力学性能.研究表明:化学气相沉积高纯钨具有柱状晶组织,并且具有明显的(100)择优取向;动态屈服强度达到2000 MPa以上,静态屈服强度约为1350 MPa,具有应变速率敏感性.
关键词:
化学气相沉积高纯钨
,
择优取向
,
应变速率敏感性
孙红婵
,
李树奎
,
侯岳翔
,
鲁旭东
,
郭伟
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.06.020
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对品界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验.结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中∑3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料.研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使品粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变.
关键词:
化学气相沉积纯钨
,
晶界结构
,
重合位置点阵
,
晶粒择优取向
