孙聂枫
,
杨光耀
,
吴霞宛
,
曹立新
,
赵权
,
郭维廉
,
赵有文
,
孙同年
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.004
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影...
关键词:
InP
,
VInH4
,
补偿
杨帆
,
杨瑞霞
,
陈爱华
,
孙聂枫
,
刘志国
,
李晓岚
,
潘静
人工晶体学报
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体...
关键词:
磷化铟
,
富磷
,
液封直拉法
,
缺陷
陈爱华
,
杨瑞霞
,
杨帆
,
刘志国
,
孙聂枫
人工晶体学报
运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶.运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性测试.结果表明,晶格的应变导致了PL发光峰峰位的变化,晶格应变与...
关键词:
磷化铟
,
液封直拉法
,
晶格应变
,
残留应力
黄清芳
,
王阳
,
刘志国
,
杨瑞霞
,
孙同年
,
孙聂枫
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.012
磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数.通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法.在InP晶体生长...
关键词:
InP
,
单晶
,
热场
,
热应力
,
位错
