王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
孙道明
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.032
采用传统的固相反应法制备陶瓷试样,借助XRD,SEM和LCR测试仪,研究了V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量V2O5后试样的烧结温度明显降低,相结构仍为立方焦绿石单相,且具有良好的介电性能:介电常数(εr)为135～154,介电损耗(tan δ)为0.0033～0.0007,频率温度系数(τf)为-442～-387(2MHz).
关键词:
V2O5掺杂
,
介质陶瓷
,
烧结温度
,
介电性能
顾永军
,
孙道明
,
李谦
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.019
为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度.文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能.
关键词:
掺杂
,
微波介质陶瓷
,
助烧
,
液相烧结
王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
孙道明
,
赵高磊
材料导报
采用传统的固相反应法制备CuO掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪,研究了CuO掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响.结果表明,CuO掺杂能有效降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,优化频率温度系数.1050℃烧结掺杂1.0wt%CuO的ZnNb2O6陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=34,介电损耗tanδ=0.00039,频率温度系数τf=-46.21×10-6/℃.
关键词:
CuO掺杂
,
ZnNb2O6
,
烧结温度
,
介电性能
周焕福
,
黄金亮
,
殷镖
,
孙道明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.019
研究了Sm2O3掺杂的bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(O≤x≤0.6,BSZN),的结构及介电性能.结果表明:纯BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(O＜x≤0.5)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品出现其它相.同时,试样的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化.
关键词:
BZN 基陶瓷
,
立方焦绿石
,
掺杂
,
介电性能
项秋伟
,
曹思
,
孙道明
,
李劲
,
蒋益明
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00536
采用阴极电泳法在铝合金表面快速沉积Ce改性膜,利用SEM,EDS和XRD研究稀土膜的形貌和结构,用电化学阻抗谱(EIS)和极化曲线方法评价改性铝合金在0.1 mol/L NaCl溶液中的耐蚀性能,结果表明,在0.1 mol/L Ce(NO_3)_3乙醇溶液中用12 V电压阴极电泳60 s后再经热处理获得了厚度约0.8 μm的均匀CeO_2膜层.电化学测试结果证实,稀土改性膜对Al 5083基体具有优异的保护性能,试样浸泡31d未见明显腐蚀,且表面膜层裂纹显著减少,呈现自修复特性,随浸泡时间的增加,电荷转移电阻R_p逐渐增大,表面电容C_t基本不变,
关键词:
铝合金
,
阴极电泳
,
稀土Ce改性膜
,
耐蚀性能
孙道明
,
李谦
,
黄金亮
材料导报
综述了近年来微波介质陶瓷研究中掺杂改性的应用概况.掺加烧结助剂多用来降低微波介质陶瓷的烧结温度,取代常常用来调整材料的介电性能和温度系数.根据以往所得出的掺杂改性对陶瓷的影响,调节材料的性能以满足使用的需要是研究的热点.
关键词:
微波介质陶瓷
,
掺杂改性
,
取代
,
介电常数
