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射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性

赵占霞 , 栗敏 , 詹颜 , 王德明 , 马忠权 , 孙铁囤

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.017

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ...

关键词: 纳米硅薄膜 , RF溅射 , Ⅰ-Ⅴ曲线 , 能带模型