欢迎登录材料期刊网
潘丽坤 , 李海波 , 孙卓 , 孙长庆
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.013
在室温下使用过滤阴极真空电弧系统在多孔硅表面沉积大约10纳米左右厚度的铜、铝和钛薄膜,并且在真空下800度退火10分钟.多孔硅层是通过电化学腐蚀硅制得.X射线光电子谱、荧光谱,光吸收谱和X射线衍射谱的研究表明退火后,沉积铜和钛的样品出现明显的光吸收红移和硅2p电子能级移动.这是由于在多孔硅表面形成铜和钛的硅化物而引起的晶体场和电子传输变化所造成的.
关键词: 多孔硅 , 金属化 , 晶体场
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.011
本文不同的温度下制备多孔硅.通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性.研究结果表明存在着一个制备临界温度343 K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大.
关键词: 多孔硅 , 制备温度 , 光特性
刘裕光 , 姜恩永 , 程启 , 孙长庆
金属学报
利用对向靶溅射（ＦＴＳ）沉积出（１１１）择优取向的单相ＴｉＮ膜，膜硬度（ＨＶ）最高可达３８００，择优取向随基板偏压增高，可由（１１１）转向（２００），晶格常数随氮气分压增高而增大，这是氮原子进入四面体间隙引起的。
关键词: ＴｉＮ薄膜 , facing targets sputtering , texture cofficident
