张艳茹
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杭凌侠
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郭峰
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宁晓阳
表面技术
为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含-CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定.结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度.
关键词:
直流反应磁控溅射
,
含氢类金刚石薄膜
,
沉积速率
,
表面粗糙度
宁晓阳
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杭凌侠
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郭峰
,
潘永强
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.017
探讨了单源混蒸技术制备SiO2/TiO2变折射率薄膜的可行性,分别蒸发SiO2和TiO2质量比为1:1和1:2的混料,研究分析了薄膜折射率的变化情况,并将其与双源共蒸的方法进行了比较.实验中发现,两种材料蒸发方式的差异是影响SiO2/TiO2变折射率薄膜制备的主要因素,尚未发现混料中SiO2和TiO2的质量比与SiO2/TiO2薄膜折射率的对应关联.
关键词:
SiO2/TiO2薄膜
,
单源混蒸
,
电子束蒸发
,
变折射率
