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4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管

孙国胜 , 宁瑾 , 高欣 , 攻全成 , 王雷 , 刘兴昉 , 曾一平 , 李晋闽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.008

利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在...

关键词: 4H-SiC , 同质外延生长 , 肖特基二极管

用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构

宁瑾 , 刘忠立 , 刘焕章 , 葛永才

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.017

提出一种新的牺牲层工艺.先将阳极氧化生成的多孔硅在 300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在 700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅.用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性.实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了...

关键词: 氧化多孔硅 , 牺牲层 , 悬空微结构 , 阳极氧化

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