孙建明
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周婷婷
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任庆荣
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胡合合
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陈宁
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宁策
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王路
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刘文渠
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李东升
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163106.0558
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节 IGZO 薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响.实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10％增加到50％,TFT的阈值电压由0．5 V增加到2．2 V,而亚阈值摆幅没有发生变化.在栅极施加30 V偏压3600 s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1 V增加到9 V.经过分析得出高氧分压的 IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加.而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象.
关键词:
铟镓锌氧薄膜晶体管
,
氧分压
,
阈值电压漂移
,
电子积累层
王明光
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杨慧
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汪嘉恒
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宁策
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徐奕辰
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祁阳
功能材料
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法在玻璃衬底上制备了纳米ZnO掺铝薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)对薄膜的微观结构进行了系统的研究.结果表明,所有在玻璃衬底上生长的ZnO薄膜均具有c轴择优取向.掺杂量为2％(原子分数)时,Al在ZnO薄膜中达到最高水平.过量Al掺杂明显减弱薄膜的c轴择优取向.随着Al掺杂量的增加,ZnO晶粒进一步细化.其原因是未进入ZnO晶格的Al以非晶Al2O3的形式在ZnO晶界上形成了对晶界运动的钉扎,从而阻碍了ZnO晶粒进一步长大.
关键词:
ZnO薄膜
,
微观结构
,
溶胶-凝胶
,
Al掺杂
,
自组装机制
