谢皎
,
李亚利
,
候峰
,
安海娇
稀有金属材料与工程
采用含高化学活性基团的乙烯基三氯硅烷(CH 2=CHSiCl3)和双(三甲基硅基)碳化二亚胺[Me3Si-N=C=N-SiMe3(BTSC)]作前驱体,在室温的氩气氛下于甲苯中进行缩合化学反应,形成稳定透明SiCN溶胶体系,溶胶经过陈化,形成三维空间结构的SiCN凝胶,最后在高温条件下裂解形成SiCN陶瓷.结果表明干凝胶在800 ℃时裂解为致密的无定型SiCN陶瓷,并在1400 ℃析晶出棒状α-Si3N4,陶瓷产率为68%(质量分数,下同).
关键词:
无氧溶胶-凝胶
,
SiCN陶瓷
,
棒状α-Si3N4
,
陶瓷产率
,
致密体
马继奎
,
陈明敬
,
王涛
,
王鹏杰
,
张东升
,
安海娇
材料导报
用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.
关键词:
多晶硅
,
酸溶液腐蚀
,
表面织构化
,
腐蚀温度
,
电性能参数