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壳聚糖/聚甲基丙烯酸甲酯电纺复合纤维膜的制备及吸附性能

李争阳 , 李婷婷 , 安立宝 , 李玉青 , 张志明

高分子材料科学与工程

运用静电纺丝技术制备了壳聚糖/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合纤维膜,红外测试表明,壳聚糖与PMMA之间存在氢键等弱相互作用;扫描电镜照片显示,随着壳聚糖含量的增加,复合纤维的直径减小,但串珠结构增多.复合纤维膜在pH值为2~6的水溶液中均具有较高的稳定性,浸泡240 h后质量损失率均低于5%.研究了复合纤维膜对水溶液中Cr(Ⅵ)的静态吸附,紫外测试显示,复合纤维膜对Cr(Ⅵ)的去除率比同条件下的壳聚糖粉末高出近3倍.复合纤维膜易于回收再生,循环使用5次对Cr(Ⅵ)的去除率并无明显下降,有望作为吸附滤膜去除水溶液中的重金属离子.

关键词: 静电纺丝 , 壳聚糖 , 聚甲基丙烯酸甲酯 , 复合纤维膜 , 静态吸附

基于介电泳微流控技术的碳纳米管分离

王小冲 , 安立宝 , 徐玉坤 , 龚亮

材料热处理学报

介电泳微流控分离碳纳米管是利用在外加特定频率非均匀交变电场的流动介电液中,金属型和半导体型碳纳米管由于自身电学性能不同受到不同介电泳力,进而向不同方向运动实现分离.建立了分离碳纳米管的介电泳数学模型和微流控分离通道及电极几何模型,并对分离过程进行了仿真研究.依据碳纳米管及介电液的电导率和介电常数,确定分离所用的电场频率为1010 Hz,由此获得了分离通道内的电场、流场分布和碳纳米管分离运动轨迹.通过研究入口流速和电压变化对分离结果的影响,得出了使碳纳米管成功分离的入口流速和电压的合理参数组合,可指导碳纳米管实际分离过程以缩短分离时间,有利于推进基于单一电学特性碳纳米管在微纳器件中的应用进程.

关键词: 介电泳 , 微流控 , 碳纳米管 , 分离 , 仿真

磷钼酸/聚甲基丙烯酸甲酯复合纤维膜的制备及光催化性能

李婷婷 , 张志明 , 刘策 , 安立宝

高分子材料科学与工程

静电纺丝法制备了磷钼酸/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合纤维,并将复合纤维冷压处理成膜.由扫描电镜照片可以看出与PMMA纤维相比,随着磷钼酸含量的增加,复合纤维的直径显著下降;红外测试表明磷钼酸在复合纤维中仍保持Keggin结构;研究了复合纤维膜对甲基橙的光催化活性,紫外测试显示,磷钼酸负载于PMMA纤维中比直接使用具有更高的催化活性,复合纤维膜易于,收再使用,其催化效率随着使用次数的增加没有明显下降.

关键词: 磷钼酸 , 聚甲基丙烯酸甲酯 , 静电纺丝 , 复合纤维膜 , 光催化

基于碳纳米管薄膜构建场发射平面显示器的阴极结构?

常春蕊 , 赵宏微 , 刁加加 , 安立宝

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.01.007

碳纳米管场发射平面显示器具有工作电压低、功耗低和制造成本低等优势,近年来基于碳纳米管场发射平面显示器的研究与应用研发已成为显示技术领域研究的热点之一,并已取得丰富成果。简要回顾了碳纳米管用于场发射的机理以及用于场发射平面显示器的优势,主要介绍了碳纳米管用于场发射平面显示器研究的一些进展和一些亟待解决的问题,包括碳纳米管阴极薄膜的制备、碳纳米管阴极工作稳定性与寿命的改进以及阴极结构的设计等,并展望了碳纳米管用于场发射平面显示器的发展前景。

关键词: 碳纳米管 , 场发射 , 平面显示器 , 阴极

H3PW12O40/PMMA/PA6夹层复合纳米纤维膜的制备及光催化性能

张微微 , 刘璐 , 李婷婷 , 刘策 , 安立宝 , 张志明

高分子材料科学与工程 doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2016.09.027

采用静电纺丝法制备了磷钨酸(H3PW12O40)/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/尼龙6(PA6)夹层复合纳米纤维膜,并通过扫描电镜、X射线能谱和红外光谱对其形貌和结构进行表征.结果显示,H3PW12\40存在于夹层膜的上层与下层,且其Keggin结构未遭到破坏.与H3PW12\40粉末和H3 PW12O40/PMMA复合纳米纤维膜相比,夹层膜对甲基橙(MO)具有更高的光催化活性.夹层纳米纤维膜易于回收并能重复使用,循环使用3次后光催化活性无明显下降,主要归咎于H3PW12O40稳定地负载于纳米纤维膜中.因此,H3PW12O40/PMMA/PA6夹层复合纳米纤维膜在水污染治理领域具有潜在的实际应用价值.

关键词: 静电纺丝 , 磷钨酸 , 夹层纳米纤维膜 , 光催化活性 , 重复使用

碳纳米管在典型微纳电子器件中的应用进展

刁加加 , 安立宝 , 常春蕊

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163102.0149

优异的电学、热学、机械特性和化学稳定性以及独特的一维纳米结构,使碳纳米管(CNT)成为应用在微纳电子器件中的理想功能材料.与传统电子器件相比,CNT微纳电子器件性能更为优异.本文综述了近年来制备和改进基于CNT的场发射器、晶体管和传感器的研究进展.经过特定方法的组装和处理,可使CNT场发射器获得低阀值电压、高发射电流和发射电流稳定等优异性能,使CNT晶体管具有高迁移率、大跨导和大电流开闭比,可提高各种CNT传感器的灵敏度.

关键词: 碳纳米管 , 应用 , 场发射器 , 晶体管 , 传感器

碳纳米管接触电阻的研究进展

代利峰 , 安立宝 , 陈佳

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.5.015

与金属之间过高的接触电阻是影响碳纳米管在微纳电子器件中应用的关键因素之一,本文从形成机理和改善方法两个方面综述了近年来碳纳米管接触电阻的研究进展。介绍了利用第一性原理对碳纳米管与金属界面电子输运性能的理论研究,以及金属功函数对界面势垒调试作用的实验研究。研究表明金属与碳纳米管之间具有较弱的杂化作用和较长的接触长度时,接触电阻较小;金属与碳纳米管功函数越接近,势垒高度越低。阐述了超声焊接技术、高温退火法、金属沉积法、局部焦耳热法等常用降低碳纳米管接触电阻方法的作用机理,并分析了这些方法对器件性能的改善作用。其中局部焦耳热法操作简单、易于自动化、对器件损害小、成本低,是目前比较理想的降低碳纳米管接触电阻的方法。

关键词: 碳纳米管 , 接触电阻 , 第一性原理 , 功函数 , 降阻方法

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