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含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

宋久旭 , 杨银堂 , 王平 , 郭立新

人工晶体学报

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷；这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导；导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了...

关键词: 碳化硅纳米管 , 反位缺陷 , 电子结构 , 光学性质