刘正堂
,
耿东生
,
宋建全
,
朱景芝
,
郑修麟
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2000.02.016
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)对制备的薄膜进行了分析.结果表明,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数.当沉积温度较低、射频功率不大时,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构.随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ge微晶相.GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移,形成化学键.
关键词:
GexC1-x薄膜
,
磁控反应溅射
,
薄膜结构
宋建全
,
刘正堂
,
耿东生
,
郑修麟
材料导报
镀膜是保证红外窗口和头罩使用性能的关键技术.重点结合作者近几年的研究,介绍了类金刚石(DLC)、碳化锗(GexC1-x)、磷化物(BP、GaP)、金刚石(Diamond)等几种薄膜材料及其膜系的光学性能.
关键词:
红外
,
增透保护薄膜
,
膜系
宋建全
,
刘正堂
,
郭大刚
,
耿东生
,
郑修麟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2001.10.008
利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.
关键词:
GaP薄膜
,
射频磁控溅射
,
增透保护膜系
宋建全
,
刘正堂
,
于忠奇
,
耿东生
,
郑修麟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.10.004
利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.
关键词:
沉积速率
,
磁控反应溅射
,
靶中毒
,
原子百分比
