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巨介电常数陶瓷CaCu3 Ti4 O12的研究进展?

宋江 , 成鹏飞 , 王秋萍 , 余花娃 , 李盛涛 , 李建英

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.19.013

CaCu3 Ti4 O12(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性，这使得 CCTO 可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了 CCTO 高介电常数起源的内禀机制和外禀机制，详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响，阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联，肯定了晶粒电导赝极化理论，指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于：基于外禀机制的 IBLC模型，通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导，进而调控CCTO的介电损耗，使 CCTO 保持较高介电常数的前提下，在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。

关键词: CaCu3 Ti4 O12 , 巨介电常数 , 介电损耗