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检索条件:作者=宋泳珍  

  • 论文(3)

增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响

王亮 , 王文青 , 李鑫 , 吴成龙 , 郑云友 , 宋泳珍 , 李伟 , 李正勳

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20122702.0204

通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响.研究结果表明:在一定范围内随着压力的不断增大,PR的刻蚀速率逐渐增大,同时刻蚀的均匀性也逐渐变好,H/V逐渐变大;增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小,而刻蚀均匀度数值...

关键词: 干法刻蚀 , 增强型阴极等离子耦合 , PR灰化速率

改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法

张光明 , 刘杰 , 徐守宇 , 郑云友 , 吴成龙 , 曲泓铭 , 李伟 , 宋泳珍 , 李正動

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132802.0224

为了减少制造工艺的流程,改进的4-Mask工艺被广泛应用.但这个工艺仍存在一些问题,如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9h),则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀.除了缩短上述间隔时间的方法外,本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法,很好地...

关键词: 有源层 , 腐蚀

TFT-LCD网点Mura的研究和改善

张定涛 , 李文彬 , 姚立红 , 郑云友 , 李伟 , 宋泳珍 , 袁明 , 张光明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132806.0860

为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温...

关键词: 色斑 , 薄膜晶体管 , 非晶硅 , 缺陷分析