王亮
,
王文青
,
李鑫
,
吴成龙
,
郑云友
,
宋泳珍
,
李伟
,
李正勳
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122702.0204
通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响.研究结果表明:在一定范围内随着压力的不断增大,PR的刻蚀速率逐渐增大,同时刻蚀的均匀性也逐渐变好,H/V逐渐变大；增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小,而刻蚀均匀度数值有先减小后增大的趋势；增加单组分O2流量时PR灰化速率变化不明显,但刻蚀的均匀性逐渐变好,H/V比值先增大后减小；当O2和SF6的流量比例不变时,同时增加O2和SF6流量,PR灰化速率会先增加后减小,均匀性数值和H/V比值先减小后增大.
关键词:
干法刻蚀
,
增强型阴极等离子耦合
,
PR灰化速率
张光明
,
刘杰
,
徐守宇
,
郑云友
,
吴成龙
,
曲泓铭
,
李伟
,
宋泳珍
,
李正動
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0224
为了减少制造工艺的流程,改进的4-Mask工艺被广泛应用.但这个工艺仍存在一些问题,如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9h),则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀.除了缩短上述间隔时间的方法外,本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法,很好地阻止了对Al的腐蚀,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.
关键词:
有源层
,
腐蚀
张定涛
,
李文彬
,
姚立红
,
郑云友
,
李伟
,
宋泳珍
,
袁明
,
张光明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0860
为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1％HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08％.
关键词:
色斑
,
薄膜晶体管
,
非晶硅
,
缺陷分析
