吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料
用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
图形化的衬底电极
,
两级场放大
吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.008
采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳纳米管的场致电子发射.该阴极制备工艺简单、发射特性优异,且容易实现大面积制备,可以应用到大面积场发射显示器件中.
关键词:
碳纳米管
,
场发射阴极
,
银台阵列
,
电泳淀积
,
电化学淀积
曹连振
,
蒋红
,
宋航
,
李志明
,
赵海峰
,
吕文辉
,
刘霞
,
郭万国
,
阎大伟
,
孙晓娟
,
缪国庆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.
关键词:
碳纳米管
,
线阵列
,
热化学气相淀积
,
场发射特性
王辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
蒋红
,
缪国庆
,
李志明
,
赵海峰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.010
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417 nm和436 nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合.
关键词:
光致发光
,
碳化硅
,
HFCVD
缪国庆
,
殷景志
,
金亿鑫
,
蒋红
,
张铁民
,
宋航
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.015
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
铟镓砷
,
探测器
徐霆
,
宋航
,
邓卫平
,
张庆红
,
王野
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(12)60681-0
比较了几种典型的沸石分子筛在氯甲烷转化制乙烯、丙烯和丁烯等低碳烯烃反应中的催化性能,发现H-ZSM-34具有较佳的催化活性和选择性.经乙二胺四乙酸二钠(Na2H2EDTA)水溶液处理,并经离子交换及焙烧后,H-ZSM-34上氯甲烷转化制低碳烯烃的催化性能显著改善.当Na2H2EDTA浓度为0.1 mol/L,反应温度为673 K,CH3Cl分压9.2 kPa时,C2-C4烯烃选择性和收率分别达82％和61％.研究还发现,Ce修饰H-ZSM-34催化剂同样可改善氯甲烷制低碳烯烃的选择性和收率.表征结果表明,Na2H2EDTA处理和Ce修饰均降低了H-ZSM-34的酸性.酸性的降低可抑制低碳烯烃的氢转移反应,继而避免了其进一步转化为低碳烷烃.
关键词:
氯甲烷
,
低碳烯烃
,
H-ZSM-34
,
乙二胺四乙酸二钠处理
,
铈修饰
,
酸性
王华
,
宋航
电镀与涂饰
采用循环伏安法在304不锈钢表面电沉积聚苯胺(PANI)、聚吡咯(PPY)及其复合膜(PANI/PPY).用扫描电镜(SEM)和红外光谱(FT-IR)观察膜的表面形貌和组成,通过动电位极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)研究了空白钢片、纯PAN膜、纯PPY膜以及苯胺(AN)与吡咯(PY)不同用量所得复合膜在0.30 mol/L H2SO4+ 3.5％ NaCl溶液中的腐蚀行为,并利用三氯化铁点腐蚀试验印证了最优条件下所制复合膜对不锈钢的保护作用.结果表明:苯胺与吡咯的浓度比、扫描速率和循环次数对PANI/PPY复合膜的耐蚀性影响显著.当苯胺与吡咯的浓度比为7∶3,扫描速率为50 mV/s,循环次数为30圈时,可制得致密度高、表面均匀和结合力良好的PANI/PPY复合膜,该复合膜在0.30 mol/L H2SO4+ 3.5％ NaCl溶液中具有良好的耐蚀性,可以明显改善不锈钢在氯离子环境中的耐孔蚀能力.
关键词:
聚苯胺
,
聚吡咯
,
复合膜
,
循环伏安法
,
不锈钢
,
腐蚀防护
,
电化学阻抗谱
陈雷锋
,
宋航
,
蒋红
,
赵海峰
,
李志明
,
黎大兵
人工晶体学报
本文采用CNT与纳米银颗粒混合球磨的方法,改善了CNT与衬底电极的电学接触性能.并比较了球磨和电泳两种方法分别获得的CNT的场发射特性,结果表明:采用球磨法所获得的CNT场发射阴极的场发射性能远远优于电泳法.在球磨过程中,由于钢球、纳米银颗粒、CNT和衬底之间互相挤压,使CNT和银颗粒及衬底之间形成紧密牢固的接触,减少了界面的接触电阻,从而大大改善了界面的电学接触性能.而电泳沉积的CNT和衬底之间基本上是简单的物理附着力,接触电阻很大,而且由于这种作用力相对较弱,往往会导致发射体本身不稳定.球磨提供了一种改善电学接触的简单有效方法,并且适合于大规模生产CNT场发射冷阴极.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
球磨
,
电泳
,
接触电阻
刘霞
,
曹连振
,
蒋红
,
宋航
低温物理学报
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82 Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓度和迁移率随温度变化的关系,并利用位错散射、极化光学声子散射等对实验数据进行了拟合.结果表明,实验值与理论值符合较好,在较低温度下(＜150 K),位错散射起主要作用,而在较高的温度下(＞250 K),极化光学声子散射占主要地位.
关键词:
In0.82Ga0.18As
,
变温霍尔效应
,
散射机制
蒋红
,
金亿鑫
,
宋航
,
缪国庆
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.012
本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料.由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率.将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测.根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%.我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征.结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料.反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%.
关键词:
MOCVD
,
分布布喇格反射镜
,
反射率
